伊法半導体はIO-Linkに基づく工業規格と設備警報アクチュエータの参考設計を発表し、最終的な納品形式は箱を開けてすぐに使用する完成品カードと関連するプロトコルスタックとアプリケーションソフトウェアである。

威世科技Vishayはこのほど、PowerPAKの採用を発表した® SO-8S（QFN 6x5）カプセル化された新しい150 V TrenchFET® Gen V Nチャネル電力MOSFET---SiRS 5700 DPは、通信、工業、計算応用分野の効率と電力密度を高めることを目的としている。Vishay Siliconix SiRS 5700 DPの総オン抵抗は、PowerPAK SO-8パッケージを採用した前世代のデバイスに比べて68.3%低下し、オン抵抗とゲート電荷積（電力変換アプリケーションにおけるMOSFETの重要品質因子（FOM）は15.4%低下し、RthJCは62.5%低下し、連続ドレイン電流は179%増加した。

Nexperia（アンセム半導体）はこのほど、同期降圧またはハーフブリッジ構成における高辺および低辺NチャネルMOSFETを駆動するための高性能ゲートドライバICのシリーズを発表した。これらのドライブには、コンパスレベルと工業レベルのバージョンが含まれており、高性能で高電流出力と優れた動的性能を兼ね備えており、応用効率とロバスト性を大幅に向上させることができる。

開発者が人工知能（AI）で駆動するセンサ処理システムの構築を支援するため、Microchip Technology Inc.（マイクロコアテクノロジー社）はNVIDIA Holoscanセンサ処理プラットフォームをサポートするPolarFireを発表した® FPGA Ethernetセンサブリッジ。