TrendForce集邦コンサルティングは403地震後の各半導体工場の動態的な更新について、今回の地震の多くはウェハ代工場が震度4の地域に位置していることに加え、台湾地区の半導体工場が高規格で建設されていることもあり、内部の制振措置はいずれも世界トップレベルであり、大半が震度1から2を減衰することができる。今回の震度を見ると、ほとんどが停止検査後、迅速に再稼働し、緊急停止や地震による炉管の損傷があっても、オンラインウエハの破片や破壊廃棄につながっているが、現在の成熟製造工程の工場区の生産能力利用率は平均50 ~ 80%であるため、損失が大きい場合は再稼働後に迅速に生産能力を補完することができ、生産能力損失は影響が軽微である。

低スイッチング損失の広範な禁帯域半導体などの技術の広範な応用に伴い、設計者は電力変換器の動作周波数を高め、電力密度を絶えず更新し始めた。しかし、スイッチング周波数が高くなると、整流器として用いられる従来の平面ダイオード（シリコンショットキー素子を含む）のエネルギー損失も大きくなり、スイッチングエネルギー効率の改善が大きく制限される。

Diodes社はSDT 2 U 30 CP 3（30 V/2 A）、SDT 2 U 40 CP 3（40 V/2 A）、SDT 2 U 60 CP 3（60 V/2 A）Schottky整流器を発表し、同クラス製品の中で業界で極めて高い電流密度を実現し、低順方向電圧降下と熱抵抗の特性で、体積が小さく、より効率的な携帯、移動、ウェアラブルデバイスのために設計の難題を克服した。このシリーズの革新的な高電流溝ショットキー整流器はわずか0.84 mm² 回路基板空間のチップレベルパッケージ（CSP）は、様々な用途に適しており、抵抗流または逆極性保護ダイオード、昇圧ダイオード、スイッチングダイオードとして使用することができる。

イタリア半導体が新たに発売した8ウェイハイサイドスイッチはインテリジェントな機能と設計の柔軟性を兼ね備えており、各チャネルのオン抵抗RDS（on）（典型値）はわずか110 mΩで、保護システムのエネルギー効率、体積はコンパクトで、PCB空間を節約する。